IGBT絕緣柵雙極晶體管電源是雙極型晶體管BIT和MOSFET晶體管的復合。雙極晶體管飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流也大;而MOSFET晶體管為電壓驅(qū)動型，它的驅(qū)動功率小，載流密度小，開關(guān)速度快，導通壓降大。ICBT晶體管綜合了兩種器件的優(yōu)點，成為驅(qū)動功率小而飽和壓降低、導通損耗小的新型器件。

IGBT晶體管電源與晶閘管中頻電源相比，它的工作頻率比晶閘管高，可達100kHz。它的效率也比晶閘管略高。因此，它既是超音頻電源，也可作中頻電源，它能完全取代真空管式超音頻電源，還能代替一部分晶閘管電源，它的發(fā)展前途比晶閘管更為廣闊。

鄭州日佳感應加熱設(shè)備，IGBT采用的是德國西門子旗下的英飛凌*新一代的產(chǎn)品，其耐壓值高，且所能承受的頻率能達到200k以上。由于日佳設(shè)備的高要求，因此長期進口這種高質(zhì)量產(chǎn)品。